迄今為止 ，磁放大器只是用來調理輔輸出電壓 。它經(jīng)過控制初始磁通密度 Bl 來控制輸 出。Bl 越低，關斷時間 tb 越長，即MOS跨導通時間 tf 越短 ，直流輸出電壓越低 。
經(jīng)過將初始磁通密度從＋ Bl 變到一 歧 ，磁放大器能夠完整關斷直流輸出電壓電子。由式Cl0.4 ) 可知 tb = Nrn A., (2B,)10-8 ／＼勻 ，選擇適宜的 A., 和繞組臣數(shù) Nm 能夠使關斷時間 tb比QI 的最大導 通時間還要長 （ 完成了磁放大器徹底關斷直流輸出電壓） 。
可經(jīng)過不同的辦法使 Q2 的電流足夠大來將磁通密度 BI 降低到一哉 。因而需求將誤差放
大器的輸出端強迫為低阻抗和低電壓源 。也可將誤差放大器參考電壓 vref 直接接地 ，并在參 考電壓源與誤差放大器的參考電壓輸入端接入隔離電阻以免參考電壓源過載 。
需求留意，假如磁放大器僅僅是用作調理器 （ 普通狀況下都這樣運用） ，如圖 10.2 所示， 則磁心磁滯曲線只包圍很小的面積 ，僅僅是整個磁滯回線面積的一小局部 。這個面積和初始 磁通密度 BI 有關 ，而 BI 是由最大和最小輸出電壓和負載電流決議的 。
磁放大器作為調理器運用時 ，磁心磁滯曲線包圍的面積普通是磁滯回 線面積的四分之一 左右。由于磁心損耗與磁心磁滯曲線包圍的面積成比例 ，這種狀況下磁放大器的損耗和溫升 都比擬小。
然而，當磁放大器被用來完整關斷輔輸出時 ，它的磁心磁滯曲線掩蓋了從 ＋ B，到 B，的
大局部面積 ，這將產生較高的磁心損耗和溫升 ，損耗和溫升能夠經(jīng)過制造廠商提供的磁心損 耗曲線來計算 。
同時請留意圖 10.3，誤差放大器和 Q2 的電源就是輔輸出自身 ，假如設計成完整開關條件關斷輔 輸出 ，那誤差放大器和 Q2 就需求其他MOS電源供電 ，比方另→個輔輸出 。
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