所有的電路元件，例如電感元件、二極管和晶體管都具有內(nèi)部電容，這些電容將使器件的性能與理想情況有所不同。此外，在任意兩段導(dǎo)體之間均有非零的電容，這種電容在高頻情況中體現(xiàn)得尤為突出，因此在印制電路板設(shè)計(jì)中必須予以考慮。
寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實(shí)際上，一個(gè)電阻等效于一個(gè)電容，一個(gè)電感，和一個(gè)電阻的串聯(lián)，在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯，而在高頻情況下，等效值會(huì)增大，不能忽略。
在計(jì)算中我們要考慮進(jìn)去。ESL就是等效電感，ESR就是等效電阻。不管是電阻，電容，電感，還是二極管，三極管，MOS管，還有IC，在高頻的情況下我們都要考慮到它們的等效電容值，電感值。
寄生電容（parasitic capacitance），也稱為雜散電容，是電路中電子元件之間或電路模塊之間，由于相互靠近所形成的電容，寄生電容是寄生元件，多半是不可避免的，同時(shí)經(jīng)常是設(shè)計(jì)時(shí)不希望得到的電容特性。寄生電容常常也會(huì)造成雜散振蕩。
消除寄生電容的方法
1、增加初始電容值法。采用增加初始電容值的方法可以使寄生電容相對(duì)電容傳感器的電容量減小。由公式C0 =
可知，采用減小極片或極筒間的間距d0 ，如平板式間距可減小為0.2 毫米，圓筒式間距可減小為0.15毫米；或在兩電極之間覆蓋一層玻璃介質(zhì)，用以提高相對(duì)介電常數(shù)，通過實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)傳感器的初始電容量C0不僅顯著提高了，同時(shí)也防止了過載時(shí)兩電極之間的短路；
另外，增加工作面積A或工作長(zhǎng)度也可增加初始電容值C0。不過，這種方法要受到加工工藝和裝配工藝、精度、示值范圍、擊穿電壓等的限制， 一般電容的變化值在10-3～103pF之間。
2、采用“驅(qū)動(dòng)電纜”技術(shù)，減小寄生電容。
如圖1所示：在壓電傳感器和放大器A 之間采用雙層屏蔽電纜，并接入增益為1 的驅(qū)動(dòng)放大器，這種接法可使得內(nèi)屏蔽與芯線等電位，進(jìn)而消除了芯線對(duì)內(nèi)屏蔽的容性漏電，克服了寄生電容的影響，而內(nèi)外層之間的電容Cx 變成了驅(qū)動(dòng)放大器的負(fù)載，電容傳感器由于受幾何尺寸的限制，其容量都是很小的，一般僅幾個(gè)pF到幾十pF。
因C太小，故容抗XC=1/ωc很大，為高阻抗元件；所以，驅(qū)動(dòng)放大器可以看成是一個(gè)輸入阻抗很高，且具有容性負(fù)載，放大倍數(shù)為1 的同相放大器。
在線路中所有的引線間都是有電容，和線路中有電感。所以要盡量的減少引線距離，和集中接地。可以減少很多寄生電容，電感。
"寄生電容" 學(xué)術(shù)解釋
1、傳感器除有極板間電容外，極板與周圍體（各種元件甚至人體）也產(chǎn)生電容聯(lián)系，這種電容稱為寄生電容。它不但改變了電容傳感器的電容量，而且由于傳感器本身電容量很小，寄生電容極不穩(wěn)定，這也導(dǎo)致傳感器特性不穩(wěn)定,對(duì)傳感器產(chǎn)生嚴(yán)重干擾。
2、分布在導(dǎo)線之間、線圈與機(jī)殼之間以及某些元件之間的分布電容等,這些電容稱為寄生電容，它們的數(shù)值雖小，但是卻是引起干擾的重要原因。
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